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采用了无闩锁效应SOI工艺的高可靠性非隔离型栅极驱动器 ROHM的非隔离型栅极驱动器是使用了自举方式的高边/低边栅极驱动器。通过采用无闩锁效应SOI工艺,实现了高可靠性。产生闩锁效应时,会流过大电流,可能会导致IC或功率元器件损坏。可以通过元件布局和制造工艺来改善抗闩锁性能,而ROHM的SOI(Silicon On Insulator)工艺通过SOI基板的完全介电分离法提高了耐压性能,并且可以从结构上避免闩锁效应。 反向恢复时间更短的超级结MOSFET:PrestoMOSTM PrestoMO
标题:IXYS艾赛斯IXBK55N300功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXBK55N300功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低噪音和长寿命等特点的优秀产品。这款IGBT采用了先进的TO264封装技术,具有出色的散热性能和电气性能。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBK55N300功率半导体IGBT的基本技术参数。这款产品的工作电压为3000V,最大电流为130A,最大功率为625W。其工作频率范围为66kHz-166kHz,可广泛应用于各种工
标题:Infineon(IR) IKFW50N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的应用越来越广泛。在这个领域中,Infineon(IR)公司的IKFW50N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT作为一种重要的电子元件,发挥着不可或缺的作用。本文将详细介绍这款产品的技术特点、应用方案以及实际应用中的优势。 首先,IKFW50N60DH3EXKSA1是一款具有TRENCH/FS技术的600V 40A TO247-3型号的IGBT。
随着电力电子技术的不断发展,功率半导体IGBT在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXYX40N450HV功率半导体IGBT作为一种重要的功率器件,具有高效率、高可靠性和低损耗等优点,在各种电源、电机控制和新能源汽车等应用领域中发挥着重要的作用。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXYX40N450HV功率半导体IGBT采用了先进的工艺技术,具有以下特点: 1. 高速导通和截止,响应速度快,能够提高系统的效率; 2. 具备较高的输入输出电压范围,能够适应各种电源和电机控制应用; 3. 具备较
标题:Infineon(IR) IKFW50N65EH5XKSA1功率半导体IKFW50N65EH5XKSA1的技术与应用介绍 随着科技的发展,电力半导体器件在各种电子设备中发挥着越来越重要的作用。Infineon(IR)公司推出的IKFW50N65EH5XKSA1功率半导体器件,以其高效、稳定和安全的特点,受到了广泛关注。 IKFW50N65EH5XKSA1是一款高性能的功率MOSFET,其工作电压范围为20V至100V,电流高达65A,而耐压高达500V。这种高电流、低损耗的特性使其在各种
标题:IXYS艾赛斯IXBT42N300HV功率半导体IGBT技术与应用介绍 在当今电力电子设备中,功率半导体IGBT起着关键作用。IXYS艾赛斯公司的IXBT42N300HV型号IGBT,以其出色的性能和可靠性,在许多应用领域中发挥着重要作用。 首先,让我们了解一下IXYS艾赛斯IXBT42N300HV功率半导体IGBT的基本参数。该器件的额定电压为3000V,额定电流为42A,最大功率为357W。这些参数使其成为一款适用于各种高电压,大电流应用的理想选择。其封装为TO268,提供了良好的热
标题:Infineon(IR) IKW50N65EH5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3的应用与技术方案介绍 随着电力电子技术的不断发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKW50N65EH5XKSA1功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件,在各种高电压大电流的场合发挥着重要的作用。本文将介绍该器件的技术特点和方案应用。 首先,IKW50N65EH5XKSA1采用Infineon(IR)独特的TRENCH 65
标题:IXYS艾赛斯IXYX40N250CHV功率半导体IGBT 2.5KV 70A TO247HV的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYX40N250CHV功率半导体IGBT,以其独特的性能和出色的技术参数,成为了业内关注的焦点。该器件具有2.5KV的电压耐压,70A的电流容量,以及TO247HV封装,在各种电力电子应用中具有广泛的应用前景。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYX40
标题:Infineon(IR) IKFW40N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKFW40N60DH3EXKSA1功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,在电力转换和电子设备中发挥着至关重要的作用。这款IGBT的特点在于其采用TRENCH/FS 600V技术,能够在高电压、大电流的应用场景下,提供高效的电能转换和控制。 IKFW40N60DH3EXKSA1 IGBT模块采用TO247-3封装,具有出色的热性能和电性能匹配。该模块具有60A的
标题:IXYS艾赛斯IXYH30N450HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯是全球领先的功率半导体解决方案提供商,其IXYH30N450HV IGBT是业界领先的4500V、30A IGBT产品,具有卓越的性能和可靠性。 首先,让我们了解一下IXYS IXYH30N450HV IGBT的基本技术。这款产品采用TO-247HV封装,具有高耐压、大电流和高热效率的特性,适用于各种工业和电源应用。其核心是IXYS艾赛斯独特的IGBT技术,这种技术通过优化器件的物理和电气特性,实