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据报道,昨日,三菱材料(Mitsubishi Materials)公司表示,其子公司在至少一年的时间里伪造了包括汽车和飞机部件在内的产品数据,这是日本制造商一系列质量丑闻中最新的一例。 该公司表示,其在一项针对合资伙伴神户钢铁的数据造假丑闻的调查中发现,三菱电线工业株式会社曾篡改了用于汽车和飞机的橡胶密封产品的数据。 自2015年4月以来的两年半时间内,该子公司将这些产品的数据篡改,以符合公司或其客户设定的规格。此外,三菱材料的另一家子公司三菱Shindoh也曾涉嫌操纵金属产品的数据,其造假行
电容的种类有很多,在其中校正电容器归属于规格不大的一类电容器,但在电源电路中应用還是很普遍的,你了解校正电容是啥原材料做的?有什么特性与作用吗? 校正电容实际上有二种种类,一种是CL71卷绕化学结构式的校正电容,也有一种是CL23B超中小型罐装校正电容器。 CL71叠内置式校正电容器: 这类归属于应用金属化聚脂膜叠内置式的电容器,应用的原材料是聚酯薄膜,独特的叠内置式构造。它的外界应用阻容环氧树脂胶封裝,治愈性好,可信性高,耗损小,电使用性能优越,外型规格一致,适合自动化技术安装,普遍用以各种
保险丝常采用的材料 保险丝常采用的材料保险丝必须是易熔化的金属丝,才能在电流大时及时熔断,起到保护作用,所以通常用铅丝。现在的保险丝一般由电阻率比较大而熔点较低的银铜合金制成。最初用铅锑合金做的保险丝也因安全原因已被淘汰。 现在我们平时常见的铅丝保险丝并不是纯铅制造,铅中含锑锡合金,这是为了达到更低熔点的目的而加进去的。 未加入锑锡合金的铅丝保险丝就是假冒伪劣产品。 一般保险丝的组成: 一是熔体部分,它是保险丝的核心,熔断时起到切断电流的作用,同一类、同一规格保险丝的熔体,材质要相同、几何尺寸
近日,辽宁百思特达半导体科技有限公司投资的氮化镓项目落户盘锦高新区。 该项目方案占地440亩,总投资15亿元,以氮化镓半导体资料为主,相关配套辅助产业为辅,并在盘锦树立新资料闭环产业园。项目方案于11月前开工建立,2021年6月前完工投产。投产后两年内销售产值每年不少于4亿元,年上缴税金不少于2000万元。 近年来,兴隆台区不断注重于新兴产业的开展,在国内外寻求引进电子信息等企业进入兴隆台区,从而构成以中蓝电子为领军的新兴产业集群。辽宁百思特达半导体科技有限公司氮化镓项目的落户、盘锦新资料闭环
2019年10月24日,德州市赴德州经济技术开发区考察大规模集成电路硅材料生产项目。2019年10月24日,德州市赴德州经济技术开发区进行协调发展监督评估,考察了集成电路用大规模硅材料的大规模生产项目。据项目一期土建负责人介绍,项目一期的三个主要车间目前正在进行二层主体施工和机电设备预埋。目前,三个主要车间二楼的30%至40%已经封顶。此外,特殊变电站和尚德八号公路项目正在按计划进行。该项目计划在2019年底前完成主体封顶,在2020年3月底前完成电力设施的机电安装和调试,在2020年6月底前
2019年11月8日,应用材料公司今日宣布材料工程技术推动中心(Materials Engineering Technology Accelerator,简称META 中心)正式揭幕,这是一个旨在帮助客户加快新材料、新工艺技术和新设备原型开发速度的首创型设施。随着芯片制造愈发具有挑战性,META中心将扩展应用材料公司与客户合作的能力,以开拓提升芯片性能、降低功耗和节省成本的新途径。 META 中心位于纽约州奥尔巴尼的纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)校园内,其洁净室为客户和合作伙伴提供
第四季度收入为37.5亿美元第四季度,公认会计准则的每股收益为0.75美元,非公认会计准则的每股收益为0.80美元* 2019财政年度共向股东返还31.7亿美元2019年11月14日,加州圣克拉拉应用材料公司(纳斯达克代码:AMAT)发布了截至2019年10月27日的2019财年第四季度和全年财务报告。第四季度业绩应用材料公司实现收入37.5亿美元。根据公认会计原则(GAAP),公司毛利率为43.5%,营业利润为8.64亿美元,占净销售额的23.0%,每股收益为0.75美元。在调整后的非公认会
据日经新闻报道,高盛曾表示,预计到2025年中国在5G方面的投资将超过1,500亿美元。华为梁华表示5G的普及率将是4G的两倍,而不是6年,而是3年。 而受到中国5G发展的影响,受益最大的却是日本半导体材料厂商。据日经报道,日本一些化学材料供应商正在提高产量,为即将到来的5G得强劲需求做准备。 成立于1918年德山就是其中之一。它控制着全球75%的高纯度氮化铝市场,氮化铝是散热材料的基本成分,可防止半导体过热。德山正在改善其在日本南部的主要工厂,以期明年4月能将产能提高40%。 德山总经理认为
晶圆代工龙头台积电7纳米制程供不应求,加上紧接而来的6纳米及5纳米即将投片量产,通过史上最高资本支出2,009亿元。由于台积电将在2020年扩大投资,国外半导体设备厂应用材料(Applied Materials)、ASML接连对2020年释出正面展望,准备抢食台积电大投资商机。 5G世代到来,智能手机、基地台及路由器等都出现升级商机,随着规格不断提升,晶圆制造先进制程升级需求亦不断成长,台积电目前即将推进到6纳米、5纳米制程,且当前的7纳米制程更呈现满载、供不应求。台积电因应产能满载及新制程需
近日上海芯元基半导体科技有限公司(以下简称“芯元基”)宣布,基于其独创的DPSS衬底技术(蓝宝石复合图形衬底),该公司开发出了低位错密度的高阻GaN(氮化镓)材料,可用于电子功率器件和微波射频器件等的制备。芯元基开发的GaN外延晶体质量已经高于蓝宝石衬底的GaN晶体质量,同时结合该公司独有的化学剥离技术可以完美地解决蓝宝石衬底的散热问题,为高端光电子器件、电子功率器件和微波射频器件等提供了一个新的方向。 SiC(碳化硅)和Si(硅)基 GaN 是目前电子功率器件的主要衬底材料。SiC基GaN外