UNI-ROYAL(Royalohm厚声)贴片电阻/排阻
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- 发布日期:2025-10-11 08:59 点击次数:58
K4A4G165WF-BCTD现货速发!亿配芯城官方渠道品质保障

在当今快速发展的电子行业中,高效、可靠的存储芯片是众多应用的核心。K4A4G165WF-BCTD 作为一款高性能的DDR4 SDRAM芯片,凭借其卓越的参数和广泛的应用领域,成为市场上的热门选择。亿配芯城提供官方渠道现货速发,确保品质与交付效率,助力您的项目快速落地。
芯片性能参数介绍
K4A4G165WF-BCTD是一款4Gb(512M x 8)容量的DDR4内存芯片,采用先进的半导体工艺设计,具有以下关键性能参数:
- 工作电压:1.2V,支持低功耗运行,适用于节能型设备。
- 数据传输速率:高达2133Mbps,确保高速数据读写,提升系统响应速度。
- 封装形式:FBGA,提供紧凑的物理尺寸和良好的散热性能,适合高密度集成应用。
- 时序参数:CL15延迟,优化了数据访问效率,保证稳定性能。
- 工作温度范围:-40°C 到 +95°C,适应严苛环境,可靠性高。
这些参数使得K4A4G165WF-BCTD在存储密度、速度和能效方面表现突出,尤其适合对性能要求严格的应用场景。
应用领域
K4A4G165WF-BCTD芯片广泛应用于多个领域,包括:
- 数据中心和服务器:作为内存模块,支持大数据处理和云计算,提升系统吞吐量。
- 网络设备:用于路由器、交换机和基站,UNI-ROYAL(Royalohm厚声)贴片电阻/排阻 确保高速数据传输和低延迟通信。
- 工业自动化:在PLC、工业计算机中提供可靠存储,适应恶劣工作环境。
- 消费电子:如高端电视、游戏主机,增强多媒体处理能力。
- 汽车电子:应用于车载信息娱乐系统和ADAS,满足高可靠性需求。
其高带宽和低功耗特性,使其成为现代智能设备和高性能计算系统的理想选择。
技术方案
K4A4G165WF-BCTD基于DDR4技术,采用双倍数据速率架构,支持以下技术方案:
- 错误校正码(ECC):可选功能,提高数据完整性,适用于关键任务系统。
- 片上终结(ODT):优化信号完整性,减少反射和噪声,提升系统稳定性。
- 自刷新模式:降低待机功耗,延长设备电池寿命。
- 兼容JEDEC标准:确保与主流平台无缝集成,简化设计流程。
在实际应用中,该芯片可与处理器、FPGA等组件配合,构建高效的内存子系统,例如在嵌入式系统中实现快速缓存和数据处理,或在AI边缘设备中支持实时计算。
总结
K4A4G165WF-BCTD以其高性能、低功耗和广泛适用性,成为电子设计中的优选存储解决方案。亿配芯城(ICGOODFIND)提供官方正品现货,确保快速交付和品质保障,助您高效推进项目。选择亿配芯城,享受专业服务与可靠支持!

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